Módulo semiconductor BSM100GB120DN2F puente IGBT doble industrial

En resumen: Componente electrónico de conmutación bifásica para potenciaEl bloque integrado de transistores BSM1 Ficha del producto

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Descripción
Producto	Módulo semiconductor BSM100GB120DN2F puente IGBT doble industrial
SKU	s1_EB0H4T93JX9
Información	Componente electrónico de conmutación bifásica para potenciaEl bloque integrado de transistores BSM100GB120DN2F representa la evolución en la gestión de corrientes elevadas mediante tecnologías de estado sólido. Al agrupar dos sistemas IGBT en una sola cápsula estandarizada, se simplifica el diseño del cableado exterior y se mejora la simetría del circuito eléctrico final. Esto es fundamental para evitar desequilibrios de fase en motores trifásicos industriales.Datos técnicos de operaciónLa correcta instalación de este bloque requiere el cumplimiento de las siguientes directrices térmicas e hidráulicas de disipación:Característica EléctricaValor de DiseñoCorriente nominal continua100 A a ochenta gradosTensión máxima de ruptura1200 VConfiguración internaMedio puente integradoMantenimiento predictivo y fiabilidad a largo plazoLa sustitución periódica de estos bloques en los sistemas de alimentación centralizada evita fallos catastróficas en equipos críticos como servidores de datos, sistemas de soporte vital en complejos médicos y cadenas de frío logísticas. Su robustez estructural soporta ambientes con polvo en suspensión y vibraciones mecánicas constantes propias de entornos textiles o metalúrgicos.
Precio
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Disponibilidad
Estado	Nuevo
Imágenes	2
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